离子氮化处理注意事项之降温,保温到预定时间后,开始向炉体内大量给冷却水,当炉体完全冷却后,即关闭蝶阀,停真空泵,停高压,并向炉内大量供氨,待炉内充满氨气,即将氨气供给降为微量,保持正压。待炉内温度降到180℃以下时,停氨气,停冷却水,重新启动真空泵。抽至完全真空后,停真空泵,打开通气阀,待炉内恢复常压后吊开炉盖交检工件。另外,由于离子氮化的过程是起辉电离放电的过程,所以一定要遵循基本的放电原理。当阴极放电长度小于小孔或窄缝尺寸的一半时,离子氮化才能够正常进行。而阴极放电长度主要受气压、气体组分、电压等参数的影响,.小也就能控制到1mm左右,所以理论上通过起辉进行氮化的小孔和窄缝的.小尺寸是2mm。离子氮化和气体氮化哪个比较好?清远离子氮化工艺

离子氮化法的优点二:离子氮化是在真空中进行,因而可获得无氧化的加工表面,也不会损害被处理工件的表面光洁度。而且由于是在低温下进行处理,被处理工件的变形量极小,处理后无需再行加工。通过控制气氛,可调节化合物层的相结构,化合物层的脆性明显低于气体氮化的脆性,离子氮化为工件的还有就是一道工序。离子氮化从380℃起即可进行氮化处理,此外,对钛、钛合金等特殊材料也可在850℃的高温下进行氮化处理,因而适应范围十分广。离子氮化是在低气压下以离子注入的方式进行,因而耗气量极少(只为气体渗氮的百分之几),可降低处理成本。江门金属表面离子氮化种类不锈钢离子渗氮,不会损害表面光洁度,多年经验,更专业,被氮化的工件变形极小,尺寸稳定性好。

离子氮化与气体氮化相比,在多个方面展现出优势。在氮化速度上,离子氮化明显更快,处理时间大幅缩短,提高了生产效率。气体氮化依靠氮原子的自然扩散,过程较为缓慢。在氮化层质量方面,离子氮化的氮化层纯净,硬度梯度更合理,表面质量更高,能有效提升材料的综合性能。而气体氮化可能因炉内气氛不均匀等因素,导致氮化层质量不稳定。在能耗方面,离子氮化节能,比气体氮化能耗低 30% - 40%。此外,离子氮化可实现局部氮化,对复杂形状工件的氮化处理更具灵活性,而气体氮化在这方面相对受限。
离子氮化能提高低型腔热锻模具寿命,离子氮化是通过提高模具表面硬度,增加表面压应力的原理,来提高热锻模具使用寿命。离子氮化适合用于低型腔热锻模具,但不适合用于深型腔热锻模具。离子氮化是为了提高工件表面耐磨性、耐疲劳性、耐蚀性及耐高温等性能,利用等离子辉光放电在离子氮化设备内制备氮化层的一种工艺方法。离子氮化分三个阶段,第一阶段活性氮原子产生,第二阶段活性氮原子从介质中迁移到工件表面,第三阶段氮原子从工件表面转移到芯部。其中第一阶段电离和第三阶段扩散机制比较清楚,第二阶段活性氮原子如何从介质中迁移到工件表面的机理尚存争议,普遍认可的是“溅射-沉积”理论。具体原理为:高能离子轰击工件表面,铁原子脱离基体飞溅出来和空间中的活性氮原子反应形成渗氮铁,渗氮铁分子凝聚后再沉积到工件表面。渗氮铁在一定的渗氮温度下分解成含氮量更低的氮铁化合物,释放出氮原子,渗氮铁不断形成为一定厚度的渗氮层。离子氮化是一种全新的氮化工艺,具有高效,节能,环保等诸多优点,是氮化的发展方向。

离子氮化工艺技术的优点:工件涂层可根据预期性能要求通过调节氮、氢及其他(如碳、氧、硫等)气氛的比例调整实现相组成调节。制备涂层时间是普通渗氮的三分之一到五分之一,效率高。制备过程十分清洁而无需防止公害,无需额外加热和检测设备,能够获得均匀的温度分布,能源消耗是气体渗氮的40~70%,节能环保;耗气量极少(只为气体渗氮的百分之几),可减少离子氮化的常见缺陷;适用的材质和温度范围广。工件制备完涂层后可获得无氧化的加工表面,表面光洁度高,变形量小。离子氮化工艺技术的难点:空心阴极效应限制了在带小孔、间隙和沟槽零件中的应用:边角效应导致导致工件边角部位硬度和其余部位不一致:不同结构工件混装时温度的控制和测量存在困难:零件表面产生弧光放电(打弧)造成等离子不稳定或高洁净工件表面损伤。离子氮化,它具有常规氮化的特点的同时还有许多其它的优点。江门真空离子氮化优势
金属离子氮化注意事项。清远离子氮化工艺
离子渗氮在镜面模具应用上的优势:直接采用预硬的模具钢进行模具加工,不用整体热处理,只需要进行离子渗氮即可达到模具使用性能要求,避免因模具整体热处理过程中产生变形和开裂等风险;离子渗氮变形小,变形量可忽略不计;离子渗氮是在真空的状态下进行渗氮的,渗后模具表面均匀洁净,可直接采用研磨膏进行抛光,并能达到镜面的效果,避免了如气体渗氮处理后产生抛光性能下降、表面有黑点等表面缺陷;模具表面硬度的提高,可以避免模具在使用过程中出现拉花而需要重新抛光的问题,节省成本和工时;对于不锈钢类型的模具钢(如S136、2316、4Cr13等)由于表面存在钝化膜,因此不能直接气体渗氮,但离子渗氮可直接进行,而且不影响模具的抛光性能,同时可以获得比常规热处理更高的表面硬度(1000~1100HV或70~71HRC)。清远离子氮化工艺
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